Cátedra: Arcondo
Fecha: Parcial promocional - 1° Cuatrimestre
Día: 17/07/2007
1) Un sólido unidimensional cuya constante de red es a = 0.3 nm y su última banda llena tiene una energia electrónica de la forma E = 4eV + 2eV * cos(ka)
2) Sabiendo que la energía de Fermi para el cobre es de 7eV, determínese a 300K:
3) Un material semiconductor cuya concentración intrínseca es de 10^12 cm^-3 se dopa con una concentración de impurezas aceptoras Na = √5 * 10^12 cm^-3 , a temperatura ambiente (kbT = 0.025 eV). Suponiendo ionización total de las impurezas:
Datos: m*n = 1.08mo; m*p = 0.56mo con mo = 9.11*10^-31
4) La corriente a través de una unión p-n a 300K es 0.01μA para una polarización inversa de 10V. Calcule el valor de la corriente a través de la union para polarizaciones directas de 0,1V y 0.4V
En la práctica de difracción de rayos X, ¿Qué factor determina la longitud de onda de la radiación empleada? ¿Qué características tienen los patrones de difracción de unólido amorfo y otro cristalino? ¿Cómo describiría la estructura de uno u otro? ¿Qué resultado obtuvo al cabo del tratamiento térmico aplicado?
Pirómetro: Cual es el fundamento físico de un pirómetro óptico? Que es la emisividad? Cual fue el objetivo del trabajo práctico realizado? Con que equipo contó? Resuma el resultado de sus observaciones. Qué puede aportar para mejorar la práctica para el próximo cautrimestre?