====== Examen Final - 62.15 Física III D ======

**Cátedra:** Arcondo\\
**Día:** 26/02/2007

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  - Supongamos que un fotón de 600 A de longitud de onda es absorbido por un átomo de hidrógeno cuya energía de ionización es 13,6 eV. ¿Cuál es la energía cinética del electrón expedido?.
  - Explicar el efecto Zeeman. Es decir, el efecto de un campo magnético externo sobre un átomo de un solo electrón. 
  - El modelo de Bohr y el modelo mecanocuántico del átomo de hidrógeno, ¿qué diferencias presentan en la relación con el impulso angular orbital?.
  - Explicar a partir de la teoría de bandas por que el silicio no es transparente a la luz visible.
  - La energía de ionización del Arsénico (grupo V) en Silicio (Eg = 1,1eV) es de 0,049 eV. Hacer un esquema de bandas ubicando el estado de impureza y el nivel de Fermi. 
  - Comparar la probabilidad de hallar electrones en la banda de conducción en el caso del Si intrínseco con la correspondiente al Si dopado de la pregunta anterior, en ambos casos a temperatura ambiente. 
  - Una juntura NP se polariza con un potencial V0 como en la figura. La energía de ionización de la impureza donora es Ei(N) y la de la impureza aceptora es Ei(P) y la energía del gap del semiconductor es Eg. Expresar el potencial de contacto, representarlo y analizar el efecto de la polarización sobre el ancho de la zona de agotamiento. Dar la expresión de la corriente a través de la juntura.